電性質分析及其應用於相變化記憶體(PRAM)元件之研究 | 台灣精品獎-歷屆得獎名單
![電性質分析及其應用於相變化記憶體(PRAM)元件之研究](https://i.imgur.com/DERULla.jpg)
由謝宗雍著作·2008—相變化記憶體(PRAM)兼顧高速存取以及非揮發性的兩項重要特性,且具有非破壞讀取、可直接覆寫、長時間儲存資料、高讀取訊號、低消耗電流及功率、多階儲存、單位記憶 ...
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DRAM掰掰,次世代記憶體換MRAM、PRAM當家? | 台灣精品獎-歷屆得獎名單
2016年7月10日 — MoneyDJ新聞2016-07-11 14:32:27 記者陳苓報導DRAM發展快到盡頭,磁性記憶體(MRAM)和相變記憶體(PRAM)是最有潛力的接班人?IBM和三星電子最近宣稱 ... Read More
PRAM | 台灣精品獎-歷屆得獎名單
PRAM是韓國三星公司推出的一款存儲器,相比普通的DRAM和快閃記憶體,PRAM具有高速低功耗的特點。如果發展順利的話,預計PRAM將從2007年起逐步取代快閃記憶體, ... Read More
PRAM:簡介,詳細介紹 | 台灣精品獎-歷屆得獎名單
全球最大晶片製造商三星公司在去年發布了512MB新記憶體原型,並有望在明年早些時候上市銷售。但ITRI其他公司有可能以更大的記憶體容量和不同功能來擊敗三星。 其他晶片製造 ... Read More
〈觀察〉被視為夢幻記憶體的MRAM 為何吸引半導體大廠相繼 ... | 台灣精品獎-歷屆得獎名單
2020年4月26日 — 隨著半導體產業持續朝更小的技術節點邁進,DRAM(動態隨機存取記憶體) ... 隨機存取記憶體(PRAM)、磁阻式隨存取記憶體(MRAM) 及可變電阻式隨機存取記憶 ... Read More
剖析5種傳統及3種新型記憶體 | 台灣精品獎-歷屆得獎名單
2017年9月11日 — PRAM:另一類新型記憶體是PRAM。它也是一種三明治的結構。中間是相變層(和光碟材料一樣,GST),這種材料的一個特性是會在晶化(低阻態)和非晶化(高阻 ... Read More
相變化記憶體 | 台灣精品獎-歷屆得獎名單
相變化記憶體(英語:Phase-change memory,英語:Ovonic Unified Memory,英語:Chalcogenide RAM,簡稱PCM, PRAM, PCRAM, CRAM),又譯為相變位記憶體,是一種非揮發 ... Read More
相變化記憶體 | 台灣精品獎-歷屆得獎名單
相變化記憶體(英語:Phase-change memory,英語:Ovonic Unified Memory,英語:Chalcogenide RAM,簡稱PCM, PRAM, PCRAM, CRAM),又譯為相變位記憶體,是一種非揮發 ... Read More
相變化記憶體 | 台灣精品獎-歷屆得獎名單
相變化記憶體(英語:Phase-change memory,英語:Ovonic Unified Memory,英語:Chalcogenide RAM,簡稱PCM, PRAM, PCRAM, CRAM),又譯為相變位記憶體,是一種非易失 ... Read More
科普:從物理機制到仿生運算,「電阻式記憶體」為何備受期待? | 台灣精品獎-歷屆得獎名單
2022年4月25日 — 在多樣化的次世代記憶體技術中,為何電阻式記憶體,在類神經仿生運算的 ... 記憶體(PRAM)、磁阻式記憶體(MRAM)、以及電阻式記憶體(RRAM)等。 Read More
電性質分析及其應用於相變化記憶體(PRAM)元件之研究 | 台灣精品獎-歷屆得獎名單
由 謝宗雍 著作 · 2008 — 相變化記憶體(PRAM)兼顧高速存取以及非揮發性的兩項重要特性,且具有非破壞讀取、可直接覆寫、長時間儲存資料、高讀取訊號、低消耗電流及功率、多階儲存、 單位記憶 ... Read More
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