Intel | 台灣精品獎-歷屆得獎名單
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InOctober2018IntelrevealedthatitisdevelopingembeddedMRAM-andthatthecompanyhassuccessfullyintegratedembeddedMRAMintoits22nmFinFETCMOS ...
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CTIMES | 台灣精品獎-歷屆得獎名單
2019年9月24日 — 包括三星、台積電、英特爾、GlobalFoundries 等,都正在持續開發STT-MRAM技術。儘管如此,晶片製造商在其晶圓設備上面臨到一些挑戰,例如必須改進現有的 ... Read More
Intel | 台灣精品獎-歷屆得獎名單
In October 2018 Intel revealed that it is developing embedded MRAM - and that the company has successfully integrated embedded MRAM into its 22nm FinFET CMOS ... Read More
MRAM as Embedded Non | 台灣精品獎-歷屆得獎名單
This paper presents key features of MRAM-based non-volatile memory embedded into Intel 22FFL technology. 22FFL is a high performance, ultra low power FinFET ... Read More
如何克服MRAM關鍵製程挑戰? | 台灣精品獎-歷屆得獎名單
2020年3月2日 — 磁阻隨機存取記憶體(MRAM)是一種利用磁態儲存資訊的非揮發性記憶體(NVM),MRAM的基本結構是磁性穿 ... (22nm FD-SOI)、英特爾(Intel,22nm FinFET)。 Read More
英特爾已悄悄將MRAM商用?三星緊追其後 | 台灣精品獎-歷屆得獎名單
2018年12月19日 — MRAM (Magnetic Random Access Memory,磁阻式隨機存取記憶體),是一種非易失性記憶體技術,從1990 年代開始發展。此技術速度接近靜態隨機記憶體的高速讀 ... Read More
追趕英特爾研發能量台灣團隊開發下世代磁性記憶體 | 台灣精品獎-歷屆得獎名單
2021年11月8日 — ... 研發出更快、更省電的新型態「自旋軌道力矩式磁性記憶體」(SOT-MRAM),是繼英特爾後,全球第二個開發出具備垂直異向性SOT-MRAM元件的團隊。 Read More
鞏固半導體!繼英特爾後我國成功開發SOT | 台灣精品獎-歷屆得獎名單
2021年11月9日 — 磁性記憶體(MRAM)是未來重要的新興記憶體,在後摩爾定律時代已成全球各半導體大廠投入重點技術。國研院表示,在成功開發出SOT-MRAM後,現正將相關 ... Read More
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105 年度台灣精品獎獲獎產品 輪胎脫困得力帶
由「凱士士企業股份有限公司」生產的輪胎脫困得力帶獲得105年度台灣精品獎,以下為此獎項詳細資料整理:得獎產品:輪胎脫困...