氮化銦 | 台灣精品獎-歷屆得獎名單
目前有關氮化銦的研究是發展氮化物基礎半導體的太陽能電池。利用合金氮化銦鎵(英語:indiumgalliumnitride),可以對應 ...
目前有關氮化銦的研究是發展氮化物基礎半導體的太陽能電池。利用合金氮化銦鎵(英語:indium gallium nitride),可以對應 ...「藍光LED的奇幻旅程」 | 台灣精品獎-歷屆得獎名單
氮化銦鎵是由氮化銦與氮化鎵混合物製備而成,其為能隙介於0.7 ~ 6.2 eV的三元化合物半導體材料,其能隙可藉由改變合金中的銦含量來調整,對於應用在LED及雷射二極體上 ... Read More
氮化銦 | 台灣精品獎-歷屆得獎名單
氮化銦 ... 氮化銦(InN)是一種小能隙的半導體材料,在太陽能電池及其他高速電子學上有潛在的應用。 ... 依溫度的不同,氮化銦的能階可以到約~0.7 eV(以往認定的值是1.97 eV ... Read More
氮化銦 | 台灣精品獎-歷屆得獎名單
目前有關氮化銦的研究是發展氮化物基礎半導體的太陽能電池。利用合金氮化銦鎵(英語:indium gallium nitride),可以對應 ... Read More
氮化銦鎵氮化鎵多重量子井奈米柱光學特性之研究Optical ... | 台灣精品獎-歷屆得獎名單
由 王興宗 著作 · 2003 — 微光激螢光(μ-PL)等光譜技術,來分析含有氮化銦鎵/氮化鎵. (InGaN/GaN)多重量子井(Multiple-Quantum Well, MQW)結構奈米柱. (nanorods)的光學特性。 Read More
國際研究:InGaN 量子井在LED的局限性 | 台灣精品獎-歷屆得獎名單
2018年1月24日 — 氮化銦鎵(InGaN)是藍光LED的關鍵材料,最近有國際研究團隊發表有關氮化銦鎵薄膜中銦(Indium)含量受限的核心機制,該研究在今年一月刊載於 ... Read More
摻雜量對氮化銦鎵氮化鎵多層量子井光學與結構特性之研究 | 台灣精品獎-歷屆得獎名單
由 吳政鴻 著作 · 2009 · 被引用 1 次 — 本篇論文主要探討藍光發光二極體(LED). 在不同摻雜層數下,其為結構對發光效率影響之研究。微結構分析發現在. 量子井附近有形成銦聚集區域之富銦相團簇結構,是因為氮化鎵 ... Read More
〈觀察〉繼矽晶圓、砷化鎵後氮化鎵成台廠下一個競逐的代工 ... | 台灣精品獎-歷屆得獎名單
2020年1月5日 — 半導體材料歷經3 個發展階段,第一代是矽(Si)、鍺(Ge) 等基礎功能材料;第二代開始進入由2 種以上元素組成的化合物半導體材料,以砷化鎵(GaAs)、磷化銦( ... Read More
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108 年度台灣精品獎獲獎產品 LED照明應用之氮化鎵功率元件
由「晶元光電股份有限公司」生產的LED照明應用之氮化鎵功率元件獲得108年度台灣精品獎,以下為此獎項詳細資料整理:得獎產品...