磁阻式隨機存取記憶體 | 台灣精品獎-歷屆得獎名單
![磁阻式隨機存取記憶體](https://i.imgur.com/DERULla.jpg)
磁阻式隨機存取記憶體(MagnetoresistiveRandomAccessMemory,縮寫為MRAM),是一種非易失性記憶體技術,從1990年代開始發展。這個技術的擁護者認為,這個技術速度 ...
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簡化的磁性隨機存儲器的結構磁阻式隨機存取記憶體(Magnetoresistive Random Access Memory,縮寫為MRAM),是一種非易失性記憶體技術,從1990年代開始發展。這個技術的擁護者認為,這個技術速度接近SRAM,具有快閃記憶體的非揮發性,容量密度及使用壽命不輸DRAM,平均能耗遠低於DRAM,成為真正的通用型記憶體(Universal memory)[1]。它目前由Everspin公司生產,其他公司,包括格羅方德和三星電子已經宣布產品計劃[2][3]。
與傳統的RAM晶片技術不同,MRAM中的數據不作為電荷或電流流動存儲,而是由磁存儲元件存儲。 這些元件由兩個鐵磁性板形成,每個鐵磁板可以保持由薄的絕緣層分開的磁化。兩個板之一是設置為特定極性的永磁體; 另一個板的磁化可以改變以匹配外部磁場的磁化來存儲存儲器。 這種配置被稱為磁性隧道結,是MRAM位的最簡單的結構。存儲設備由這樣的「單元」的網格構建。
讀取的最簡單的方法是通過測量一個單元的電阻來實現。(通常)通過為相關聯的電晶體供電流(通常)選擇特定的一個單元,其將電流從電源線通過單元切換到地。由於隧道磁阻,單元的電阻由於兩個板中磁化的相對取向而變化。通過測量所得到的電流,可以確定任何特定單元內的電阻,並從此確定可寫板的磁化極性。通常,如果兩個板具有相同的磁化對準(低電阻狀態),則將其視為「1」,而如果對準反平行,則電阻將更高(高電阻狀態),這意味著「0」。
它應用巨磁阻效應為其工作原理。
使用各種方式將數據寫入單元格。在最簡單的「經典」設計中,每個單元位於彼此成直角布置的一對寫入線之間,平行於單元,一個在單元之上和之下。當電流通過它們時,在可寫板拾取的接合處產生感應磁場。這種操作模式類似於核心內存,這是1960年代常用的一種系統。這種方法需要相當大的電流來產生這一領域,然而,...
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