孔徑數從0.33 到0.7,一手掌握ASML EUV 發展布局 | 台灣精品獎-歷屆得獎名單
![孔徑數從0.33 到0.7,一手掌握ASML EUV 發展布局](https://i.imgur.com/DERULla.jpg)
2022年6月30日—SemiWiki報導,2022SPIE高階微影曝光大會,極紫外光微影設備(EUV)大廠艾司摩爾(ASML)介紹EUV最新進展,外界可了解EUV發展過程及未來發展計 ...
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SemiWiki 報導,2022 SPIE 高階微影曝光大會,極紫外光微影設備(EUV)大廠艾司摩爾(ASML)介紹 EUV 最新進展,外界可了解 EUV 發展過程及未來發展計畫,將對半導體先進製程發展有關鍵影響力。
ASML 介紹,目前孔徑數 0.33 EUV 是半導體先進製程主力,先進邏輯和 DRAM都使用 0.33 EUV 系統生產。以典型 5 奈米製程為例,2021 年邏輯晶片應用到 10 層以上 EUV 光罩,2023 年 3 奈米製程量產就會用到 20 層 EUV 光罩,DRAM 目前 EUV 光罩數約 5 層,不久後 DRAM 約使用 8 層 EUV 光罩。部分曝光需多重圖像化,每個晶圓光罩使用數可能達 10 層。
邏輯晶片與 DRAM 逐漸廣泛換用 EUV 設備,截至第一季 ASML 出貨 136 個 EUV 系統,為約 7,000 萬片晶圓曝光微影。隨著半導體製程越來越需要 EUV 設備,讓 EUV 推陳出新,可靠度也提升。ASML 表示,NXE:3400C 可靠度低於 90%,新一代 NXE:3600D 能達 93%,接近深紫外光曝光(DUV)微影設備 95% 可靠度。NXE:3600D 每小時可生產 160 片晶圓,速度為 30mJ/cm²,比 NXE:3400C 高 18%。正在開發的 NXE:3800E 初期能達 30mJ/cm²,約每小時 195 片晶圓產能,最後會提升到每小時 220 片晶圓。
可看出 ASML 孔徑數 0.33 EUV 微影曝光設備領域,正在努力改進產能與產品功耗,到 2025 年推出約每小時產能 220 片的 NXE:4000F。ASML 也持續生產 EUV 產能,預計增加 10%~20% 產能,2025 年交貨首部 NXE:4000F 曝光微影設備。
ASML 努力增產孔徑數 0.33 EUV 時,也同時開發下一代孔徑數 0.55 High-NA EUV 曝光微影設備。資料指出孔徑數 0.33 High-NA EUV 從 2010 年原型機問世到 2019 年量產機...
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