高密度 電 漿 | 台灣精品獎-歷屆得獎名單
高密度電漿(HighDensityPlasma).隨著半導體製程的進步,在矽基板單位面積內所放入的元件飛快的增加,元件與元件之間的距離勢必越來越狹小,如此不論是蝕刻或鍍膜 ...,電漿是由中性原子或分子、電子(-)和正電離.子所構成.1.游離率主要決定於電漿中的電子能量.2.在大部分的電漿製程反應室中,游離率.都低於0.001%.3.高密度電 ...,由李安平著作—由於ICP之.電漿密度(n~1010-1012cm-3)較傳統電容式電漿(n~.109-1010cm-3)高一至二數量級,通常歸類為高密度電.漿(HighDensityPlasmas,HDP)。此外在半導體 ...,電漿是具有等量正電荷和負電荷的...
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高密度電漿(High Density Plasma) | .. | 台灣精品獎-歷屆得獎名單
高密度電漿(High Density Plasma). 隨著半導體製程的進步,在矽基板單位面積內所放入的元件飛快的增加,元件與元件之間的距離勢必越來越狹小,如此不論是蝕刻或鍍膜 ... Read More
第五章電漿基礎原理 | 台灣精品獎-歷屆得獎名單
電漿是由中性原子或分子、電子(-)和正電離. 子所構成. 1. 游離率主要決定於電漿中的電子能量. 2. 在大部分的電漿製程反應室中,游離率. 都低於0.001%. 3. 高密度電 ... Read More
電漿源原理與應用之介紹 | 台灣精品獎-歷屆得獎名單
由 李安平 著作 — 由於ICP 之. 電漿密度(n ~ 1010- 1012 cm-3)較傳統電容式電漿(n ~. 109- 1010 cm-3) 高一至二數量級,通常歸類為高密度電. 漿(High Density Plasmas, HDP)。此外在半導體 ... Read More
Chapter 7 電漿的基礎原理 | 台灣精品獎-歷屆得獎名單
電漿是具有等量正電荷和負電荷的離子氣體. • 更精確的定義:電漿是有著帶電與中性粒子 ... 高密度電漿(High density plasma ,HDP)的游. 離率約1∼5%. Read More
高密度電漿輔助化學氣相沉積系統(Inductively Coupled Plasma ... | 台灣精品獎-歷屆得獎名單
高密度電漿輔助化學氣相沉積系統(Inductively Coupled Plasma-Chemical Vapor Deposition, ICP-CVD). 最後更新日期: 2021-08-10. 設備原理:. Read More
國立交通大學機構典藏:高密度電漿天線效應之研究 | 台灣精品獎-歷屆得獎名單
由 彭衍琦 著作 · 1995 — 標題: 高密度電漿天線效應之研究. Study of Antenna Effect for High-Density Plasma Processing. 作者: 彭衍琦 · Perng, Yean-Chyi Read More
高密度電漿源設計製作及其應用在半導體製程之發展情況 | 台灣精品獎-歷屆得獎名單
這也就是我們選擇高密度電漿源設計製作和. 相關的製程發展為研究目標的主要原因。 二、基本原理與趨勢. 電漿(plasma) 在中國大陸翻譯成「等離子體」,. Read More
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