mram記憶體 | 台灣精品獎-歷屆得獎名單
磁阻式隨機存取記憶體(MagnetoresistiveRandomAccessMemory,縮寫為MRAM),是一種非易失性記憶體技術,從1990年代開始發展。這個技術的擁護者認為,這個技術速度 ...,2022年1月17日—三星半導體宣佈,通過結構創新,實現了基於MRAM(磁阻式隨機存取記憶體)的記憶體內運算(In-MemoryComputing),進一步拓展了三星下世代低功耗AI ...,由陳柏全著作—本文也會著墨於SOT型.MRAM的一些運作挑戰,及其逐漸地被克服的解決方案。Magneticrandomaccessmemory(MRAM)hasbeenregardedasanimportantmemorybecauseof ...,2020年4月26日—MRAM屬於...
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磁阻式隨機存取記憶體 | 台灣精品獎-歷屆得獎名單
磁阻式隨機存取記憶體(Magnetoresistive Random Access Memory,縮寫為MRAM),是一種非易失性記憶體技術,從1990年代開始發展。這個技術的擁護者認為,這個技術速度 ... Read More
三星研發出運算記憶體MRAM | 台灣精品獎-歷屆得獎名單
2022年1月17日 — 三星半導體宣佈,通過結構創新,實現了基於MRAM(磁阻式隨機存取記憶體)的記憶體內運算(In-Memory Computing),進一步拓展了三星下世代低功耗AI ... Read More
非揮發性的磁性記憶體 | 台灣精品獎-歷屆得獎名單
由 陳柏全 著作 — 本文也會著墨於SOT 型. MRAM 的一些運作挑戰,及其逐漸地被克服的解決方案。 Magnetic random access memory (MRAM) has been regarded as an important memory because of ... Read More
〈觀察〉被視為夢幻記憶體的MRAM 為何吸引半導體大廠相繼 ... | 台灣精品獎-歷屆得獎名單
2020年4月26日 — MRAM 屬於非揮發性記憶體技術,是利用具高敏感度的磁電阻材料製造的記憶體,斷電時,所儲存的資料不會消失,耗能較低;讀寫速度快,可媲美SRAM(靜態 ... Read More
全世界極少數成功,國研院團隊研發新型態MRAM 記憶體 | 台灣精品獎-歷屆得獎名單
2021年11月9日 — 和DRAM(面積2,048 nm2)、SRAM(面積21,000 nm2)相比,MRAM 面積僅400 nm2,但讀寫速度媲美SRAM,目前MRAM 已有「自旋轉移力矩式磁性記憶體」(STT-MRAM ... Read More
MRAM技術:從太空應用到統一的快取記憶體? | 台灣精品獎-歷屆得獎名單
2022年6月27日 — 磁阻式隨機存取記憶體(MRAM)是一種非揮發性記憶體技術,主要依靠兩個鐵磁層的(相對的)磁化狀態來儲存二進位資訊。近年來出現了不同特性的MRAM記憶體,使得 ... Read More
垂直式自旋磁性記憶體技術-工業技術與資訊月刊 | 台灣精品獎-歷屆得獎名單
王泳弘解釋,MRAM是一種磁性多層膜的堆疊結構,在早先的MRAM技術中,這二個磁性層的磁化方向為水平排列,並可由電流來控制旋轉方向;而目前MRAM則改為與膜面垂直( ... Read More
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105 年度台灣精品獎獲獎產品 輪胎脫困得力帶
由「凱士士企業股份有限公司」生產的輪胎脫困得力帶獲得105年度台灣精品獎,以下為此獎項詳細資料整理:得獎產品:輪胎脫困...