stt | 台灣精品獎-歷屆得獎名單
由陳柏全著作—的自旋轉移力矩(STT)運作型,一直到自旋軌道力矩(SOT)型,MRAM運作模式也從間接地由電流給予.磁場,轉變為直接給予非常短暫的脈衝就可以讀寫運作,達到快速讀寫的 ...,2018年5月5日—磁阻式隨機存取記憶體(MagnetoresistiveRandomAccessMemory;MRAM)的技術在2006年進入一嶄新的紀元。Sony宣布推出首款實驗室生產的4kbSTT-MRAM(Spin ...,2021年3月22日—磁阻式RAM(MRAM)是針對廣泛的商業可用性之中的幾種新型的非揮發性記憶體(NVM)技術之一,但是要將MRAM設計到晶片和系統中,並不像其他類型的記憶體 ...,自旋轉移矩磁阻...
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非揮發性的磁性記憶體 | 台灣精品獎-歷屆得獎名單
由 陳柏全 著作 — 的自旋轉移力矩(STT) 運作型,一直到自旋軌道力矩(SOT) 型,MRAM 運作模式也從間接地由電流給予. 磁場,轉變為直接給予非常短暫的脈衝就可以讀寫運作,達到快速讀寫的 ... Read More
自旋記憶體發展從STT | 台灣精品獎-歷屆得獎名單
2018年5月5日 — 磁阻式隨機存取記憶體(Magnetoresistive Random Access Memory; MRAM)的技術在2006年進入一嶄新的紀元。Sony宣布推出首款實驗室生產的4 kb STT-MRAM (Spin ... Read More
IBM的STT | 台灣精品獎-歷屆得獎名單
2021年3月22日 — 磁阻式RAM(MRAM)是針對廣泛的商業可用性之中的幾種新型的非揮發性記憶體(NVM)技術之一,但是要將MRAM設計到晶片和系統中,並不像其他類型的記憶體 ... Read More
自旋轉移矩 | 台灣精品獎-歷屆得獎名單
自旋轉移矩磁阻式隨機存取記憶體(STT-RAM或STT-MRAM)是一種非易失性存儲器,與SRAM和DRAM等基於電荷的存儲器相比,其漏電功耗接近於零,這是它的主要優點。 Read More
解讀STT | 台灣精品獎-歷屆得獎名單
2014年11月5日 — 作為一種獨立的記憶體元件,STT-MRAM由於具有更高速度、更低延遲、可擴展性和無限使用壽命等特性,因而被用於取代SRAM、DRAM和NOR快閃記憶體。STT-MRAM並 ... Read More
STT | 台灣精品獎-歷屆得獎名單
STT-MRAM是通過自旋電流實現信息寫入的一種新型非易失性磁隨機存儲器,是磁性存儲器MRAM 的二代產品。STT-MRAM存儲單元的核心仍然是一個MTJ,由兩層不同厚度的鐵磁層及 ... Read More
突破技術侷限新一代MRAM放眼更廣泛應用 | 台灣精品獎-歷屆得獎名單
2021年11月16日 — 由於寫入速度非常高,SOT-MRAM寫入時的耗能也可望比STT-MRAM低許多;「這是系統效能上的一個大躍進。」 SOT與現今的STT MRAM相同,以自旋轉移效應為基礎, ... Read More
STT | 台灣精品獎-歷屆得獎名單
STT-MRAM (also called STT-RAM or sometimes ST-MRAM and ST-RAM) is an advanced type of MRAM devices. STT-MRAM enables higher densities, low power consumption ... Read More
全世界極少數成功,國研院團隊研發新型態MRAM 記憶體 | 台灣精品獎-歷屆得獎名單
2021年11月9日 — 和DRAM(面積2,048 nm2)、SRAM(面積21,000 nm2)相比,MRAM 面積僅400 nm2,但讀寫速度媲美SRAM,目前MRAM 已有「自旋轉移力矩式磁性記憶體」(STT-MRAM ... Read More
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105 年度台灣精品獎獲獎產品 輪胎脫困得力帶
由「凱士士企業股份有限公司」生產的輪胎脫困得力帶獲得105年度台灣精品獎,以下為此獎項詳細資料整理:得獎產品:輪胎脫困...