X光光電子能譜儀(XPS) | 台灣精品獎-歷屆得獎名單
XPS跟EDS的差別?A.XPS主要分析表面約0~10nm的元素成份,且可以分析原子序3(Li)以上的元素;EDS偵測元素深度約1~3um,偵測的原子序為5以上,且較輕的元素靈敏度不 ...
]]>材料經由帶有能量的 X 光照射後形成光電效應,將內層軌域的電子激發產生光電子,只有在樣品表面所產生的光電子才能脫逸出而被測得,此被激發的光電子經偵檢器分析後,可測得光電子束縛能的能譜;由於不同元素、不同軌域所產生的光電子束縛能不同,所以可由束縛能得知此光電子來自於哪一種元素的哪一層軌域。
當元素與不同元素鍵結時,由於鍵結的電荷密度不同會導致光電子束縛能有些許改變,當氧化態越高其束縛能越高,可由此束縛能的改變得知其化學鍵結。
1. 表面污染/異常之分析:
由於光電子來自於最表面的 1nm-10nm,且 XPS 具有化學鍵結分析的能力,能針對表面的異常分析得知其成份與鍵結訊息,如針對顏色異常、表面缺陷或金屬腐蝕進行分析。
2. 薄膜成份及縱深分析:
可由 XPS 得知薄膜的成分及比例,同時可搭配氬離子蝕刻作縱深分析。
3. 金屬表面氧化程度及氧化層厚度判定:
可得知金屬之表面比例、氧化程度, 表面氧化層厚度可透過非破壞性的分析 (適用於膜厚小於 10nm) 或破壞性的縱...
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