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一種濺鍍靶材,其使用氧化鋁燒結體,該氧化鋁燒結體在質量%下之純度為99.99%以上...作為在半導體、液晶、太陽能電池等領域中製作薄膜元件等構造之工具,係廣泛使用。
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本發明係有關濺鍍靶材及其製造方法。
一般來說,濺鍍是使用輝光放電,令受加速之離子撞擊濺鍍靶材,使藉由動能而從靶材彈出之材料於基板上成膜的方法。作為在半導體、液晶、太陽能電池等領域中製作薄膜元件等構造之工具,係廣泛使用。其中,使用氧化鋁燒結體之靶材(以下亦稱為「氧化鋁靶材」),在形成磁頭、磁光碟等之保護膜或絕緣膜時,係作為膜材料的供應源之用。亦用於在超硬工具上形成耐磨損膜等。
氧化鋁靶材通常為絕緣材料,故氧化鋁的濺鍍膜之形成,係使用高頻濺鍍裝置。該裝置中,係將氧化鋁靶材與電極接合,於該電極之對極上配置基板,在減壓下處於氬等氣氛當中令其濺鍍放電,藉此,使氧化鋁在基板上堆積。
專利文獻1中揭示之氧化鋁濺鍍靶材,使用了平均結晶粒徑在5μm以上20μm以下、氣孔率在0.3%以上1.5%以下之氧化鋁燒結體。特別是該申請專利範圍第2項中,記載其使用純度99.9%以上之氧化鋁燒結體(一般稱為「three nine」,寫成「3N」)。而其實施例亦揭示了使用3N之氧化鋁粉末的例子。
〔先前技術文獻〕 〔專利文獻〕[專利文獻1]日本特開2000-64034號公報
專利文獻1之氧化鋁濺鍍靶材,其性質被認為是即使施以高電力,或是異常放電、飛弧(arcing)等情形發生,也不容易產生很大的龜裂或破裂等破損。
然而近年來,隨著元件的複雜化、微細化,要求濺鍍膜愈來愈薄、對薄膜的物性面要求亦愈來愈嚴苛。為了賦予濺鍍膜良好的絕緣耐性及均質性,僅僅不讓濺鍍時之電力使靶材產生龜裂破裂等破損是不夠的。此外,若要減低濺鍍膜之雜質,提高靶材材料的純度是有效的方法。特別是,專利文獻1中所探討的僅有純度99.9%以上(3N)之氧化鋁燒結體,若要獲得更高的物性,有其極限。
另一方面,要使絕緣膜更薄,除了膜材料本身要高絕緣耐壓且可靠度高之外,如果濺鍍膜的膜厚分布等及膜質不夠均一,那麼便難以設計出高性能元件。然而,過去卻並未檢討過該等技術事項。
本發明之目的在於提供一種濺鍍靶材及其製造方法,針對由濺...
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