鎧俠發表第5 代3D NAND!堆疊112 層、記憶容量提高2 成 | 台灣精品獎-歷屆得獎名單
![鎧俠發表第5 代3D NAND!堆疊112 層、記憶容量提高2 成](https://i.imgur.com/DERULla.jpg)
2020年2月3日—全球第二大NAND型快閃記憶體(FlashMemory)廠商鎧俠(Kioxia,舊稱東芝記憶體)採用3D架構的NANDFlash「BiCSFLASH」有新一代產品現身,堆疊112 ...
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全球第二大 NAND 型快閃記憶體(Flash Memory)廠商鎧俠(Kioxia,舊稱東芝記憶體)採用 3D 架構的 NAND Flash「BiCS FLASH」有新一代產品現身,堆疊 112 層、記憶容量將較現行 96 層產品提高 2 成。
鎧俠 1 月 31 日宣布[1],已研發出 3D NAND Flash「BiCS FLASH」的第 5 代產品,採用堆疊 112 層製程技術,且已完成試作、確認基本動作。
該款堆疊 112 層的 3D NAND 試作品為 512Gb(64GB),採用 3bit/cell(TLC:Triple Level Cel)技術的產品,預計將在 2020 年第一季進行樣品出貨,除將用來搶攻需求持續擴大的資料中心用 SSD、商用 SSD、PC 用 SSD 及智慧手機等市場外,也將用來搶攻 5G、人工智慧(AI)、自動駕駛等新市場需求。
和鎧俠目前已量產的 96 層 3D NAND 產品相比,112 層 3D NAND 每單位面積的記憶容量提高約 20%,且每片晶圓所能生產的記憶容量增加,每 bit 成本也下滑。
鎧俠指出,該款 112 層 3D NAND 產品為該公司和合作夥伴美國 Western Digital(WD)所攜手研發完成,今後將利用雙方共同營運的四日市工廠以及北上工廠進行生產,且今後也計劃推出採用堆疊 112 層製程技術的 1Tb(128GB)TLC 產品以及 1.33Tb 的 4bit/cell (QLC:Quadruple-Level Cell)產品。
關於上述 112 層 3D NAND 的量產時間,WD 宣布,「預定將在 2020 年下半年」。
鎧俠競爭對手南韓三星電子已於 2019 年 6 月開始量產堆疊 100 層以上的 3D NAND 產品。
東芝於 2018 年 6 月將鎧俠獨立出去,並賣給由美國貝恩資本主導的「日美韓聯盟」。東芝目前仍持有鎧俠 40.2% 股權。
...BiCS FLASH™ | TLC 與QLC | 台灣精品獎-歷屆得獎名單
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