BiCS5 FLASH SSD | 台灣精品獎-歷屆得獎名單
![BiCS5 FLASH SSD](https://i.imgur.com/DERULla.jpg)
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鎧俠的前身東芝於1987年正式研發成功 NAND快閃記憶體,並在西元1991年獨步全球率先投入量產。透過設計準則及製程,不斷提升 NAND 快閃記憶體的容量。
然而,在有限的平面製程之下還需提升 NAND 快閃記憶體的容量,已相當不容易。
為了解決記憶體儲存量不足的問題,鎧俠運用全新技術將快閃記憶體晶片垂直堆疊,並在 2007 年發表 3D 快閃記憶體堆疊技術。根據上述基礎,進一步研發相關技術推出了 3D 快閃記憶體 : BiCS FLASH™
3D NAND 特色 高密度與高容量
2D NAND 係指在受限的平面上加上BiCS FLASH™顆粒,但隨著需求與技術的演進,平面模式能排列的顆粒相當有限,因此在技術進步的趨勢之下促使了3D NAND技術的誕生。
而新技術3D NAND以2D NAND為基礎,將堆疊的方式由平面改為立體結構,大幅提升了BiCS FLASH™顆粒可堆疊的空間,除此之外擴增了許多儲存空間。
高寫入速度
透過3D立體堆疊方式使得BiCS FLASH™單元間的距離相較2D NAND大幅增加,記憶體單元的變異性下降,單次寫入序列所處理的資料判讀快,寫入速度快。
穩定性高相較 2D NAND 在平面製程微縮的難度和可靠度問題,3D NAND 垂直堆疊技術工法,大幅增加了BiCS FLASH™單元之間的距離,距離提升後彼此的干擾降低,穩定性提升。
低耗電量BiCS FLASH™ 提升了寫入序列資料量,運算速度明顯提升,與2D NAND相比,大幅減少了處理資料的耗費能源,更加節電。
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