磁性記憶體發展演進簡介 | 台灣精品獎-歷屆得獎名單
2018年5月5日—磁記憶體(MRAM)是運用磁膜極化後形成自旋電阻差異來儲存資料,亦被稱為自旋記憶體。從早期磁鼓型、磁芯、磁鍍線至磁泡型記憶體結構,至今已開始 ...
2018年5月5日 — 磁記憶體(MRAM)是運用磁膜極化後形成自旋電阻差異來儲存資料,亦被稱為自旋記憶體。從早期磁鼓型、磁芯、磁鍍線至磁泡型記憶體結構,至今已開始 ...
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磁阻式隨機存取記憶體 | 台灣精品獎-歷屆得獎名單
磁阻式隨機存取記憶體(Magnetoresistive Random Access Memory,縮寫為MRAM),是一種非易失性記憶體技術,從1990年代開始發展。這個技術的擁護者認為,這個技術速度 ... Read More
磁性記憶體發展演進簡介 | 台灣精品獎-歷屆得獎名單
2018年5月5日 — 磁記憶體(MRAM)是運用磁膜極化後形成自旋電阻差異來儲存資料,亦被稱為自旋記憶體。從早期磁鼓型、磁芯、磁鍍線至磁泡型記憶體結構,至今已開始 ... Read More
非揮發性的磁性記憶體 | 台灣精品獎-歷屆得獎名單
由 陳柏全 著作 — 新一. 代MRAM 的基本構造─磁穿隧接面(Magnetic. Tunneling Junction, MTJ) 利用電子自旋與磁矩的各. 種交互作用原理,使整個元件結構具有明顯電阻變. 化,使得MRAM 的研發 ... Read More
磁阻式隨機存取記憶體 | 台灣精品獎-歷屆得獎名單
磁阻式隨機存取記憶體(Magnetic Random Access Memory :MRAM) 國立彰化師範大學物理所陳建淼研究生/國立彰化師範大學物理學系洪連輝教授責任編輯. Read More
〈觀察〉被視為夢幻記憶體的MRAM 為何吸引半導體大廠相繼 ... | 台灣精品獎-歷屆得獎名單
2020年4月26日 — MRAM 屬於非揮發性記憶體技術,是利用具高敏感度的磁電阻材料製造的記憶體,斷電時,所儲存的資料不會消失,耗能較低;讀寫速度快,可媲美SRAM(靜態隨機存 ... Read More
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105 年度台灣精品獎獲獎產品 輪胎脫困得力帶
由「凱士士企業股份有限公司」生產的輪胎脫困得力帶獲得105年度台灣精品獎,以下為此獎項詳細資料整理:得獎產品:輪胎脫困...