〈觀察〉被視為夢幻記憶體的MRAM 為何吸引半導體大廠相繼 ... | 台灣精品獎-歷屆得獎名單
2020年4月26日—MRAM屬於非揮發性記憶體技術,是利用具高敏感度的磁電阻材料製造的記憶體,斷電時,所儲存的資料不會消失,耗能較低;讀寫速度快,可媲美SRAM(靜態隨機存 ...
目前記憶體市場以 DRAM 與 NAND Flash 為主流,而近年來,在人工智慧、5G 等需求推升下,新興記憶體 MRAM(磁阻式隨機存取記憶體) 逐漸成為市場焦點,是什麼原因吸引台積電 (2330-TW[1])、英特爾與三星等半導體大廠,相繼投入研發?
隨著半導體產業持續朝更小的技術節點邁進,DRAM(動態隨機存取記憶體) 與 NAND Flash(儲存型快閃記憶體) 開始面臨微縮挑戰,DRAM 已接近微縮極限,而 NAND Flash 則朝 3D 轉型,除微縮越趨困難外,在高速運算上也遭遇阻礙。
而在人工智慧、5G 時代來臨下,資料需求量暴增,隨著摩爾定律持續向下微縮,半導體業者加大對新興記憶體的研發與投資力道,開始尋求成本更佳、速度更快、效能更好的儲存解決方案。
目前新興記憶體主要包括鐵電隨機存取記憶體 (FRAM)、相變化隨機存取記憶體(PRAM)、磁阻式隨存取記憶體(MRAM) 及可變電阻式隨機存取記憶體 (RRAM) 等,其中又以 MRAM 最被看好、最受業界期待。
MRAM 屬於非揮發性記憶體技術,是利用具高敏感度的磁電阻材料製造的記憶體,斷電時,所儲存的資料不會消失,耗能較低;讀寫速度快,可媲美 SRAM(靜態隨機存取記憶體),比 Flash 速度快上百倍、甚至千倍;在記憶容量上能與 DRAM 抗衡,兼具處理與儲存資訊功能;且資料保存時間長,適合需要高性能的場域。
除效能上的優點外,相較於 DRAM、SRAM 與 NAND Flash 等記憶體面臨微縮困境,MRAM 特性可滿足製程微縮需求。目前 DRAM 製程停滯在 1X 奈米,而 Flash 走到 20 奈米以下後,朝 3D 製程轉型,MRAM 製程可推進至 10 奈米以下。至於 SRAM,則在成本與能量損耗上,遭遇嚴峻挑戰。
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