MRAM | 台灣精品獎-歷屆得獎名單
2022年4月17日—在嵌入式設計規格方面,DRAM、SRAM、FLASH同屬良率低、須增加芯片面積設計規格;而MRAM則是擁有性能高、不須增加芯片面積的特殊設計。最後在耗電量相比較 ...
(Magnetic Random Access Memory)是一種非揮發性的磁性隨機存儲器,所謂“非揮發性”是指關掉電源後,仍可以保持記憶完整,功能與FLASH雷同;而“隨機存取”是指中央處理器讀取資料時,不一定要從頭開始,隨時可用相同的速率,從內存的任何部位讀寫信息。 MRAM運作的基本原理與硬盤驅動器相同。和在硬盤上存儲數據一樣,數據以磁性的方向為依據,存儲為0或1。它存儲的數據具有永久性,直到被外界的磁場影響之後,才會改變這個磁性數據。它的速度與我們PC所使用的內存相比更接近使用GMR技術的,一般都有25至100n s,它擁有靜態隨機存儲器(Static Random Access Memory, SRAM)的高速讀取寫入能力,以及動態隨機存儲器(Dynamic Random Access Memory,DRAM)的高集成度,而且基本上可以無限次地重複寫入。
MRAM是在 80年代初首次提出的。在1994年,美國Honeywe ll公司研發了一種使用巨磁阻(Giant Magneto Resistive, GMR)薄膜技術的MRAM,並投入了生產。不過,由於它的讀取寫入時間過長並且集成度低,所以應用只局限於太空和軍事領域。近年來, MRAM再度發展起來,並以取代DRAM裝置為目標。與現有的快閃內存(FLASH)、靜態隨機存取內存(SRAM)、動態隨機存取內存(DRAM)相比, MRAM性能都是非常優秀的。
根據美國專業半導體研究機構EDN分析,如將MRAM與DRAM、 SRAM、 FLASH等內存做比較,在“非揮發性”特色上,目前僅有MRAM及FLASH具此功能;而在“隨機存取”功能上,則FLASH欠缺此項功能,僅MRAM、DRAM、SRAM具備隨機存取優點。
就“讀取速度”而言, MRAM及SRAM的速度最快,同為25~1...
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