四種儲存技術下世代明星 | 台灣精品獎-歷屆得獎名單
2018年6月19日—在MRAM的技術在學理上的存取速度將超越DRAM達到接近SRAM,且斷電後資料不流失,早期由Everspin公司開發,目前被視為下世代記憶體技術的重要的競爭者。在 ...
王宣智、STPI科技政策研究組 發表於 2018年6月19日
隨著行動裝置、物聯網應用的興起,對於節能的資料儲存與記憶體技術的需求日益增加。目前的記憶體技術以DRAM與NAND 快閃記憶體為主流,然而DRAM的讀寫速度快但無法長時間儲存資料,而NAND Flash能夠保存資料,但有讀寫的速度不佳的問題。同時兼具運算、儲存能力的下世代記憶體,如磁阻式記憶體(MRAM)、電阻式記憶體(RRAM)、3D XPoint 技術與高潛力的自旋電子磁性記憶體(STT-MRAM)等,成為下世代記憶體技術的新寵兒。在MRAM的技術在學理上的存取速度將超越DRAM達到接近SRAM,且斷電後資料不流失,早期由Everspin公司開發,目前被視為下世代記憶體技術的重要的競爭者。在2017年,也是MRAM技術爆發的重要一年,在2017年日本舉辦的大型積體電路技術日本舉辦的大型積體電路技術、系統和應用國際研討會,格羅方德與 Everspin 公司也共同發佈了有抗熱消磁eMRAN技術,具能夠讓資料在攝氏150度的溫度下保存資料可長達十數年的22nm製程的製程技術,並預計於2017年底、2018年出投入生產。而曾經投入記憶體研發生產,但卻不敵成本高昂而退出記憶體市場的台積電,在2017年台積電技術論壇揭露其已經具備22奈米製程嵌入式磁阻式記憶體(eMRAM)的生產技術,並預定於2018年進行試產。
RRAM其優點在於消耗電力較 NAND 低,且寫入資訊速度比NAND快閃記憶體快了1萬倍,主要投入研究的廠商有美光、Sony、三星。台積電也同時於2017年台積電技術論壇宣佈具備生產22奈米嵌入式可阻記憶體(eRRAM)技術,將協同eMRAM於2018年進行試產。
3D XPoint技術的主要廠商為英特爾與美光,採用多層線路構成的三維結構,並採用柵狀電線電阻來表示0和1,原理類似RRAM。為儲存...
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