取代SRAM與DRAM—次世代記憶體MRAM技術發展動向分析 | 台灣精品獎-歷屆得獎名單
2020年8月18日—MICAISP取代SRAM與DRAM—次世代記憶體MRAM技術發展動向分析....表一、記憶體技術的比較(本文根據東北大學資料增訂、修改)
利用電子自旋的磁化方向來儲存資訊的MRAM,終於逐漸邁向實用化。其目標在於取代嵌入式快閃記憶體(eFlash),以及揮發性的SRMA、DRAM等傳統記憶體。MRAM最大的特色,在於可將耗電量降至1/100、甚至1/1000的超凡節能省電功效。今後在電腦、IoT終端乃至於AI晶片領域,將會掀起巨大的變化。
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MRAM | 台灣精品獎-歷屆得獎名單
2022年4月17日 — 在嵌入式設計規格方面,DRAM、SRAM、FLASH同屬良率低、須增加芯片面積設計規格;而MRAM則是擁有性能高、不須增加芯片面積的特殊設計。 最後在耗電量相比較 ... Read More
MRAM與其他內存技術相比具有相對優勢 | 台灣精品獎-歷屆得獎名單
2020年9月16日 — 內存選項的比較與其他內存技術選項相比,MRAM具有明顯的優勢。 ... 採用GaSb和InAs打造的新型存儲器,可兼顧DRAM和NAND,有望捲動千億美元內存市場. Read More
MRAM與現行各類儲存器的比較 | 台灣精品獎-歷屆得獎名單
2020年11月25日 — 由於磁體本質上是抗輻射的﹐MRAM晶片本身還具有極高的可靠性,即MRAM本身可以免受軟錯誤之害。 MRAM可以做到與動態隨機儲存器(DRAM)類似的高密度,而且還 ... Read More
〈觀察〉被視為夢幻記憶體的MRAM 為何吸引半導體大廠相繼 ... | 台灣精品獎-歷屆得獎名單
全世界極少數成功,國研院團隊研發新型態MRAM 記憶體 | 台灣精品獎-歷屆得獎名單
2021年11月9日 — 和DRAM(面積2,048 nm2)、SRAM(面積21,000 nm2)相比,MRAM 面積僅400 nm2,但讀寫速度媲美SRAM,目前MRAM 已有「自旋轉移力矩式磁性記憶 ... Read More
剖析5種傳統及3種新型記憶體 | 台灣精品獎-歷屆得獎名單
2017年9月11日 — 此外,SRAM、DRAM、FLASH、SONOS和FRAM這五種是基於電荷的記憶體,這類記憶體本質上是透過電容的充放電實現;而PRAM、MRAM和RRAM則是基於電阻的轉變 ... Read More
取代SRAM與DRAM—次世代記憶體MRAM技術發展動向分析 | 台灣精品獎-歷屆得獎名單
2020年8月18日 — MIC AISP 取代SRAM與DRAM—次世代記憶體MRAM技術發展動向分析. ... 表一、記憶體技術的比較(本文根據東北大學資料增訂、修改) Read More
各種新興記憶體比較 | 台灣精品獎-歷屆得獎名單
2018年10月18日 — ... 可變電阻式記憶體(Resistive RAM;ReRAM)以及MRAM。這些新興記憶體目前都在競爭儲存級記憶體(Storage Class Memory;SCM)的核心位置。 Read More
四種儲存技術下世代明星 | 台灣精品獎-歷屆得獎名單
2018年6月19日 — 在MRAM的技術在學理上的存取速度將超越DRAM達到接近SRAM,且斷電後資料不流失,早期由Everspin公司開發,目前被視為下世代記憶體技術的重要的競爭者。在 ... Read More
如何使用MRAM 來提升邊緣運算的可靠性、縮短延遲並降低功耗 | 台灣精品獎-歷屆得獎名單
2020年11月5日 — SRAM 比DRAM 的速度更快,也更昂貴,也常作為處理器的快取記憶體使用,但DRAM 則作為主記憶體使用。在前述記憶體當中,SRAM 消耗的功率最多,而且跟DRAM ... Read More
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105 年度台灣精品獎獲獎產品 輪胎脫困得力帶
由「凱士士企業股份有限公司」生產的輪胎脫困得力帶獲得105年度台灣精品獎,以下為此獎項詳細資料整理:得獎產品:輪胎脫困...